MOSFET Vishay, canale N, 530 mA, SC-89, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 256-7339
- Codice costruttore:
- SI1062X-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 25
0,314 €
(IVA esclusa)
0,383 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 25 - 25 | 0,314 € | 7,85 € |
| 50 - 75 | 0,307 € | 7,675 € |
| 100 - 225 | 0,231 € | 5,775 € |
| 250 - 975 | 0,227 € | 5,675 € |
| 1000 + | 0,118 € | 2,95 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 256-7339
- Codice costruttore:
- SI1062X-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
I dispositivi Vishay Semiconductor a canale N da 20 V 530 mA (Ta) 220 mW (Ta) sono dotati di montaggio superficiale con contenitore SC-89-3 e le sue applicazioni sono la commutazione di carico, alimentazione per dispositivi portatili, driver, sistemi alimentati a batteria, circuiti di convertitore di alimentazione.
MOSFET di potenza TrenchFET
Protezione ESD gate-source 1000 V
Protezione ESD gate-source 1000 V
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 530 mA |
| Tensione massima drain source | 20 V |
| Tipo di package | SC-89 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
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