MOSFET Vishay, canale N 20 V, 1.4 Ω, 530 mA, 3 Pin, SC-89, Superficie SI1062X-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

5,30 €

(IVA esclusa)

6,48 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1525 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 250,212 €5,30 €
50 - 750,207 €5,18 €
100 - 2250,155 €3,88 €
250 - 9750,153 €3,83 €
1000 +0,08 €2,00 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
256-7339
Codice costruttore:
SI1062X-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

530mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SC-89

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

800μm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I dispositivi Vishay Semiconductor a canale N da 20 V 530 mA (Ta) 220 mW (Ta) sono dotati di montaggio superficiale con contenitore SC-89-3 e le sue applicazioni sono la commutazione di carico, alimentazione per dispositivi portatili, driver, sistemi alimentati a batteria, circuiti di convertitore di alimentazione.

MOSFET di potenza TrenchFET

Protezione ESD gate-source 1000 V

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.