2 MOSFET Vishay Duale, canale N, 0.396 Ω, 500 mA 20 V, SC-89, Superficie Miglioramento, 6 Pin SI1034CX-T1-GE3

Codice RS:: 180-7262
Codice costruttore:: SI1034CX-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

2 MOSFET Vishay Duale, canale N, 0.396 Ω, 500 mA 20 V, SC-89, Superficie Miglioramento, 6 Pin SI1034CX-T1-GE3

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 180-7262
Codice costruttore:: SI1034CX-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	500mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Serie	TrenchFET
	Tipo di package	SC-89
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.396Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	1.3nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	220mW
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	8V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Duale
	Lunghezza	1.7mm
	Larghezza	1.2mm
	Altezza	600μm
	Standard/Approvazioni	No
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 500mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Serie TrenchFET
	Tipo di package SC-89
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.396Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.3nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 220mW
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Duale
	Lunghezza 1.7mm
	Larghezza 1.2mm
	Altezza 600μm
	Standard/Approvazioni No
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

Datasheet

MOSFET Vishay

Il MOSFET a canale N doppio per montaggio superficiale Vishay è dotato di una tensione drain-source di 20V. Ha una resistenza drain-source di 396mohm a una tensione gate-source di 4,5 V. Ha una potenza nominale massima di 220mW. Il MOSFET ha una corrente di drain continua di 610mA. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Fonte gate con protezione ESD: 1000V

• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• dispositivi alimentati a batteria

• driver: Relè, solenoidi, lampade, martelli, display, memorie

• commutazione di carico/potenza per dispositivi portatili

• circuiti del convertitore di alimentazione

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato