2 MOSFET Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 8 Ω, 300 mA 60 V, SC-89-6, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 787-9055
- Codice costruttore:
- SI1029X-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 confezione da 20 unità*
8,92 €
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10,88 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,446 € | 8,92 € |
| 200 - 480 | 0,42 € | 8,40 € |
| 500 - 980 | 0,38 € | 7,60 € |
| 1000 - 1980 | 0,358 € | 7,16 € |
| 2000 + | 0,335 € | 6,70 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 787-9055
- Codice costruttore:
- SI1029X-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 300mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | SC-89-6 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250mW | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 750nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Lunghezza | 1.7mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.7 mm | |
| Altezza | 0.6mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 300mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package SC-89-6 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250mW | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 750nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Lunghezza 1.7mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.7 mm | ||
Altezza 0.6mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET doppio a canale N/P, Vishay Semiconductor
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