2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 790 mΩ, 1.1 A 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Codice RS:: 145-2681
Codice costruttore:: SI1967DH-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 790 mΩ, 1.1 A 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

453,00 €

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Codice RS:: 145-2681
Codice costruttore:: SI1967DH-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	1.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Serie	TrenchFET
	Tipo di package	SC-88
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	790mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	2.6nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	8V
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.25W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Lunghezza	2.2mm
	Altezza	1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	1.35mm
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 1.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Serie TrenchFET
	Tipo di package SC-88
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 790mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.6nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.25W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Lunghezza 2.2mm
	Altezza 1mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 1.35mm
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET di potenza serie TrenchFET di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 1,1 A - SI1967DH-T1-GE3

Questo MOSFET di potenza è un transistor a montaggio superficiale a canale P progettato per la commutazione a bassa tensione in sistemi elettronici compatti. Funziona come dispositivo in modalità di potenziamento ed è progettato per il controllo dell'alimentazione a livello di scheda in cui è richiesta una gestione della corrente modesta e un ingombro ridotto.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drain‐source di 20 V consente l'implementazione di sistemi a bassa tensione • La corrente di drenaggio continua di 1,1 A supporta la commutazione di potenza leggera • La bassa Rds(on) di 790 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento • La carica tipica del gate da 2,6 nC consente transizioni del gate più veloci • La dissipazione di potenza di 1,25 W gestisce il carico termico in piccoli assemblaggi • Il transistor isolato a doppio elemento consente disposizioni di commutazione accoppiate

Applicazioni

• Adatto per la gestione della batteria e la commutazione della guida di alimentazione nelle apparecchiature portatili • Ideale per la commutazione del carico nei moduli di controllo industriali • Utilizzato per la protezione contro l'inversione di polarità nei sistemi integrati • Può essere utilizzato per lo spostamento del livello del segnale in circuiti a tensione mista

Quale contenitore è necessario pianificare quando si progetta il circuito stampato?

Il dispositivo è fornito in un contenitore SMD SC‐88 a 6 pin che occupa un ingombro compatto adatto per schede ad alta densità.

In che modo la temperatura influisce sui limiti di funzionamento?

Il componente è specificato per il funzionamento tra -55 °C e 150 °C, definendo gli ambienti ambientali e di giunzione consentiti per una commutazione affidabile.

Questo componente può essere utilizzato nei sistemi automobilistici?

Non è classificato secondo gli standard automobilistici, pertanto l'idoneità deve essere valutata in base ai requisiti di qualificazione dei veicoli prima dell'uso.

Quale intervallo di tensione del gate è consentito per i segnali di controllo?

L'unità gate non deve superare un limite di gate‐to‐source di 8 V per evitare l'eccessiva sollecitazione del dispositivo.

Quanti elementi transistor sono presenti sul chip e quale configurazione hanno?

Il chip contiene due elementi isolati configurati per consentire disposizioni di commutazione accoppiate o indipendenti.