2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 790 mΩ, 1.1 A 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Codice RS:: 145-2681
Codice costruttore:: SI1967DH-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 790 mΩ, 1.1 A 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Al momento non disponibile

Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.

Codice RS:: 145-2681
Codice costruttore:: SI1967DH-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	1.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Tipo di package	SC-88
	Serie	TrenchFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	790mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	2.6nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.25W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-8V, +8V
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Lunghezza	2.2mm
	Altezza	1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	1.35mm
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 1.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Tipo di package SC-88
	Serie TrenchFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 790mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.6nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.25W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -8V, +8V
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Lunghezza 2.2mm
	Altezza 1mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 1.35mm
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET di potenza serie TrenchFET di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 1,1 A - SI1967DH-T1-GE3

Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale P a montaggio superficiale destinato alla commutazione a bassa tensione e alle funzioni analogiche in assemblaggi elettronici compatti. Funziona come dispositivo in modalità di potenziamento ed è progettato per essere integrato nei casi in cui è richiesta una configurazione a transistor isolato e una gestione della corrente continua modesta. Il componente viene fornito in un piccolo pacchetto SC-88 adatto per layout densi.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source di 20 V consente la commutazione a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 1,1 A supporta carichi costanti
• Rds(on) di 790 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione
• La carica gate tipica di 2,6 nC consente transizioni gate più veloci
• La dissipazione di potenza di 1,25 W consente di gestire lo stress termico moderato

Applicazioni

• Adatto per i circuiti di protezione della batteria nelle apparecchiature portatili
• Ideale per la commutazione del carico in moduli di alimentazione compatti
• Utilizzato con fasi di spostamento di livello nei front-end analogici
• Può essere utilizzato per la commutazione a doppio canale in spazi ristretti sul circuito stampato

Quale tipo di montaggio è necessario per l'assemblaggio?

È progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale su piastre saldabili standard compatibili con le impronte SC-88.

Quanti elementi transistor attivi contiene?

Il dispositivo contiene due elementi per chip, consentendo il routing a doppia funzione o complementare nei progetti.

Quali sono i limiti di tensione del gate che i progettisti devono rispettare?

La tensione nominale massima da gate a sorgente è di 8 V, che non deve essere superata per evitare lo stress del dispositivo.

A quale intervallo di temperatura può resistere durante il funzionamento?

È specificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, adattandosi a un'ampia gamma di condizioni ambientali.