2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 790 mΩ, 1.1 A 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
145-2681
Codice costruttore:
SI1967DH-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

1.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SC-88

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

790mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.6nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.25W

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.2mm

Larghezza

1.35 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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