MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 55 mΩ Miglioramento, 12 A, 6 Pin, SC-70, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

456,00 €

(IVA esclusa)

555,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 02 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,152 €456,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-7261
Codice costruttore:
SIA461DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SC-70

Serie

SiA461DJ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

17.9W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.7mm

Altezza

0.8mm

Larghezza

1.7 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati