MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 100 mΩ Miglioramento, 4 A, 6 Pin, SC-70, Superficie SI1441EDH-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3079
Codice costruttore:
SI1441EDH-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SC-70

Serie

Si1441EDH

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-10V, +10V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Larghezza

1.35mm

Lunghezza

2.2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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