MOSFET Vishay, canale Tipo P 12 V, 71 mΩ Miglioramento, 12 A, 6 Pin, SC-70, Superficie SIA447DJ-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9288
Codice costruttore:
SIA447DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SC-70

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

71mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

19W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.7mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.8mm

Lunghezza

1.7mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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