MOSFET Vishay, canale P, 71 mΩ, 12 A, PowerPAK SC-70, Montaggio superficiale

Codice RS:: 787-9288
Codice costruttore:: SIA447DJ-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 71 mΩ, 12 A, PowerPAK SC-70, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 787-9288
Codice costruttore:: SIA447DJ-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiA447DJ, P-Channel 12V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	12 A
Tensione massima drain source	12 V
Tipo di package	PowerPAK SC-70
Serie	TrenchFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	71 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	19 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	1.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	52 nC a 8 V
Larghezza	1.7mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.8mm

MOSFET Vishay, canale P, 71 mΩ, 12 A, PowerPAK SC-70, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

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