MOSFET Vishay, canale Tipo P 12 V, 71 mΩ Miglioramento, 12 A, 6 Pin, SC-70, Superficie SIA447DJ-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 nastro da 10 unità*

6,78 €

(IVA esclusa)

8,27 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 12 novembre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Nastro*
10 - 900,678 €6,78 €
100 - 4900,645 €6,45 €
500 - 9900,578 €5,78 €
1000 - 24900,353 €3,53 €
2500 +0,325 €3,25 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9288
Codice costruttore:
SIA447DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SC-70

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

71mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-8V, +8V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

19W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.7mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

800μm

Larghezza

1.7mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.