MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo N 60 V, 0.0185 Ω Miglioramento, 12 A, 6 Pin, SC-70-6L, Superficie SiA106DJ-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

9,36 €

(IVA esclusa)

11,42 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1800 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 400,936 €9,36 €
50 - 900,845 €8,45 €
100 - 4900,794 €7,94 €
500 - 9900,748 €7,48 €
1000 +0,656 €6,56 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3901
Codice costruttore:
SiA106DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SC-70-6L

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0185Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

19W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.2mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS molto bassa - figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS - Qoss

Link consigliati