MOSFET Vishay, canale N, 130 mΩ, 11,3 A, PowerPAK SC-70, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6297
Codice costruttore:: SIA416DJ-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 130 mΩ, 11,3 A, PowerPAK SC-70, Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,355 €

(IVA esclusa)

0,433 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Bobina*
3000 +	0,355 €	1.065,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 165-6297
Codice costruttore:: SIA416DJ-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiA416DJ, N-Channel 100V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	11,3 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	ThunderFET
Tipo di package	PowerPAK SC-70
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	130 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.6V
Dissipazione di potenza massima	19 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	2.15mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	2.15mm
Carica gate tipica @ Vgs	6,5 nC a 10 V
Altezza	0.75mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 130 mΩ, 11,3 A, PowerPAK SC-70, Montaggio superficiale

MOSFET canale N, tensione media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

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