MOSFET Vishay, canale N 100 V, 130 mΩ Miglioramento, 11.3 A, 6 Pin, SC-70, Superficie SIA416DJ-T1-GE3

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Codice RS:
165-6297
Codice costruttore:
SIA416DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SC-70

Serie

ThunderFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

130mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Dissipazione di potenza massima Pd

19W

Tensione diretta Vf

850mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.15mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

750μm

Lunghezza

2.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, tensione media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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