MOSFET Vishay, canale P, 55 mΩ, 12 A, PowerPAK SC-70, Montaggio superficiale

Codice RS:: 787-9291
Codice costruttore:: SIA461DJ-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 55 mΩ, 12 A, PowerPAK SC-70, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 787-9291
Codice costruttore:: SIA461DJ-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiA461DJ, P-Channel 20V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	12 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	PowerPAK SC-70
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	55 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	17,9 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	1.7mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	30 nC a 8 V
Altezza	0.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 55 mΩ, 12 A, PowerPAK SC-70, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

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