MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.011 Ω Miglioramento, 31 A, 7 Pin, SC-70, Superficie SIA4446DJ-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9902
Codice costruttore:
SIA4446DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SIA

Tipo di package

SC-70

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.011Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

19.2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.05mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

RDS molto basso x Qg cifra di merito

Testato al 100% Rg e UIS

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