MOSFET Vishay, canale N 100 V, 130 mΩ Miglioramento, 11.3 A, 6 Pin, SC-70, Superficie SIA416DJ-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
818-1441
Codice costruttore:
SIA416DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

ThunderFET

Tipo di package

SC-70

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

130mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

19W

Tensione diretta Vf

850mV

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.15mm

Altezza

750μm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, tensione media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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