MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.119 Ω Miglioramento, 8.8 A, 7 Pin, SC-70-6L, Superficie SIA112LDJ-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9900
Codice costruttore:
SIA112LDJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SIA

Tipo di package

SC-70-6L

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.119Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

15.6W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.05mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

RDS molto basso x Qg cifra di merito

Testato al 100% Rg e UIS

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