MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.119 Ω Miglioramento, 8.8 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8, Superficie SIS112LDN-T1-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

906,00 €

(IVA esclusa)

1104,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 6000 unità in spedizione dal 26 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,302 €906,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
268-8339
Codice costruttore:
SIS112LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SIS

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.119Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

19.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza TrenchFET a canale N di generazione 4 Vishay è un MOSFET a configurazione singola. È senza piombo e senza alogeni e viene utilizzato come interruttore laterale primario, interruttore di azionamento motore e convertitore boost.

Sintonizzato per la più bassa cifra di merito

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

Link consigliati