MOSFET Vishay, canale N, 8,8 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 268-8339
Codice costruttore:: SIS112LDN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 8,8 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,378 €

(IVA esclusa)

0,461 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Bobina*
3000 +	0,378 €	1.134,00 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 268-8339
Codice costruttore:: SIS112LDN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - SIS112LDN-T1-GE3

Codice RS:: 268-8339
Codice costruttore:: SIS112LDN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - SIS112LDN-T1-GE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8,8 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	PowerPAK 1212-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Modalità del canale	Enhancement
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Silicone

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8,8 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	PowerPAK 1212-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Modalità del canale	Enhancement
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Silicone

MOSFET Vishay, canale N, 8,8 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

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