MOSFET Vishay, canale N 100 V, 0.119 Ω Miglioramento, 8.8 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8, Superficie SIS112LDN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8340
Codice costruttore:
SIS112LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SIS

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.119Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

19.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza TrenchFET a canale N di generazione 4 Vishay è un MOSFET a configurazione singola. È senza piombo e senza alogeni e viene utilizzato come interruttore laterale primario, interruttore di azionamento motore e convertitore boost.

Sintonizzato per la più bassa cifra di merito

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

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