MOSFET Vishay, canale Tipo P, 0.0094 Ω, 18 A 30 V, PowerPAK 1212-8, Superficie, 8 Pin SIS413DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7936
Codice costruttore:
SIS413DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0094Ω

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.61mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1.12mm

Larghezza

3.61 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay è un contenitore PowerPAK-1212-8 a canale P, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 9,4 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 52W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• componente senza alogeni e piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• interruttori adattatori

• interruttori di carico

• Mobile computing

• Gestione dell'alimentazione

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