MOSFET Vishay, canale Tipo P, 0.315 Ω, 8.9 A 150 V, PowerPAK 1212-8, Superficie, 8 Pin SI7315DN-T1-GE3

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Codice RS:
180-7314
Codice costruttore:
SI7315DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.315Ω

Minima temperatura operativa

50°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Lunghezza

3.61mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

3.61mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il Vishay SI7315DN è un MOSFET doppio a canale P con tensione drain-source (Vds) di -150V. La tensione gate-source (VGS) è 30V. Ha un contenitore PAK 1212-8 di potenza. Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,315 ohm a 10VGS e 0,35 ohm a 7,5 VGS. Corrente di drain massima -8,9 A.

MOSFET di potenza Trench FET

Contenitore PAK a bassa resistenza termica con dimensioni ridotte

Testato al 100% Rg e UIS

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