IGBT Vishay SIA433EDJ-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7754
Codice costruttore:
SIA433EDJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay

MOSFET Vishay


Il MOSFET PowerPAK-SC70-6 a canale P per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 20V e una tensione gate-source massima di 12V. Ha una resistenza drain-source di 18mohms a una tensione gate-source di 4,5 V. Ha una dissipazione di potenza massima di 19W e corrente di drain continua di 12A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 1,8 V e 4,5 V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• protezione ESD incorporata con diodo Zener
• Senza alogeni
• componente senza piombo (Pb)
Bassa resistenza in stato attivo •
• nuovo contenitore con potenziamento termico PowerPAK SC-70
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
• Area di ingombro ridotta
MOSFET di potenza TrenchFET da •
• le prestazioni ESD tipiche sono 1800V

Applications


• interruttori batteria
• interruttori caricabatterie
• interruttori di carico
• Dispositivi portatili

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testato

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