IGBT Vishay SIA456DJ-T1-GE3, canale Tipo N, PowerPAK SC-70-6L, 6 Pin Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7793P
Codice costruttore:
SIA456DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

IGBT

Dissipazione di potenza massima Pd

19W

Tipo di package

PowerPAK SC-70-6L

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

6

Tensione emettitore gate massima VGEO

16 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

2.15mm

Altezza

0.8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET SC-70-6 a canale N per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 200V e una tensione gate-source massima di 16V. Ha una resistenza drain-source di 1380mohms a una tensione gate-source di 4,5 V. Ha una dissipazione di potenza massima di 19W e una corrente di drain continua di 2,6A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 1,8 V e 4,5 V rispettivamente. È dotato di un convertitore boost per dispositivi portatili. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

Bassa resistenza in stato attivo •

• nuovo contenitore con potenziamento termico PowerPAK SC-70 - Area di ingombro ridotta

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

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