MOSFET Vishay, canale P, 71 mΩ, 12 A, PowerPAK SC-70, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6977
Codice costruttore:: SIA447DJ-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 71 mΩ, 12 A, PowerPAK SC-70, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,121 €

(IVA esclusa)

0,148 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,121 €	363,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-6977
Codice costruttore:: SIA447DJ-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiA447DJ, P-Channel 12V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	12 A
Tensione massima drain source	12 V
Serie	TrenchFET
Tipo di package	PowerPAK SC-70
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	71 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	19 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Lunghezza	1.7mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	52 nC a 8 V
Altezza	0.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 71 mΩ, 12 A, PowerPAK SC-70, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

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