MOSFET Vishay Siliconix, canale N 60 V, 0.0185 Ω Miglioramento, 12 A, 6 Pin, SC-70-6L, Superficie SiA106DJ-T1-GE3

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Codice RS:
178-3667
Codice costruttore:
SiA106DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SC-70-6L

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0185Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

19W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.9nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.2mm

Altezza

1mm

Larghezza

1.35mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS molto bassa - figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS - Qoss

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