MOSFET Vishay, canale N 20 V, 1.1 Ω Miglioramento, 630 mA, 3 Pin, SC-75, Superficie SI1012CR-T1-GE3

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Codice RS:
165-7259
Codice costruttore:
SI1012CR-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

630mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SC-75

Serie

Si1012CR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.1Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

240mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.3nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-8V, +8V

Tensione diretta Vf

800mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.68mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

800μm

Larghezza

860μm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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