MOSFET Vishay, canale N, 1,1 Ω, 630 mA, SC-75, Montaggio superficiale

Codice RS:: 787-9005
Codice costruttore:: SI1012CR-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 1,1 Ω, 630 mA, SC-75, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 787-9005
Codice costruttore:: SI1012CR-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si1012CR, N-Channel 20V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	630 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SC-75
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,1 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	240 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	0.86mm
Carica gate tipica @ Vgs	1,3 nC a 8 V
Lunghezza	1.68mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.8mm

MOSFET Vishay, canale N, 1,1 Ω, 630 mA, SC-75, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor

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