MOSFET Vishay, canale N, 63 mΩ, 5,1 A, SC-75, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-7263
Codice costruttore:: SIB406EDK-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 63 mΩ, 5,1 A, SC-75, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Codice RS:: 165-7263
Codice costruttore:: SIB406EDK-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiB406EDK, N-Channel 20V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,1 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SC-75
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	63 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	10 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Carica gate tipica @ Vgs	7,5 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.7mm
Lunghezza	1.7mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.8mm

MOSFET Vishay, canale N, 63 mΩ, 5,1 A, SC-75, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor

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