MOSFET Vishay, canale Tipo N 20 V, 63 mΩ Miglioramento, 5.1 A, 6 Pin, SC-75, Superficie SIB406EDK-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
814-1247
Codice costruttore:
SIB406EDK-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

SiB406EDK

Tipo di package

SC-75

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

63mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

10W

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.7mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.7 mm

Altezza

0.8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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