MOSFET Vishay, canale N, 63 mΩ, 5,1 A, SC-75, Montaggio superficiale

Codice RS:: 814-1247
Codice costruttore:: SIB406EDK-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 63 mΩ, 5,1 A, SC-75, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 20

0,439 €

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0,536 €

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Unità	Per unità	Per confezione*
20 - 180	0,439 €	8,78 €
200 - 480	0,338 €	6,76 €
500 - 980	0,307 €	6,14 €
1000 - 1980	0,263 €	5,26 €
2000 +	0,237 €	4,74 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 814-1247
Codice costruttore:: SIB406EDK-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiB406EDK, N-Channel 20V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,1 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SC-75
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	63 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	10 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	1.7mm
Larghezza	1.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	7,5 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.8mm

MOSFET Vishay, canale N, 63 mΩ, 5,1 A, SC-75, Montaggio superficiale

MOSFET canale N, da 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor

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