MOSFET Vishay, canale N, 9 Ω, 200 mA, SC-75, Montaggio superficiale

Codice RS:: 787-9024
Codice costruttore:: SI1032R-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 9 Ω, 200 mA, SC-75, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 787-9024
Codice costruttore:: SI1032R-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si1032R/X, N-Channel 1.5V (Gate-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	200 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SC-75
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	9 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	280 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-6 V, +6 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	1.68mm
Carica gate tipica @ Vgs	750 nC a 4,5 V
Larghezza	0.86mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Altezza	0.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 9 Ω, 200 mA, SC-75, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor

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