MOSFET Vishay, canale Tipo N 20 V, 10 Ω Miglioramento, 210 mA, 3 Pin, SC-75, Superficie SI1032R-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9024
Codice costruttore:
SI1032R-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

210mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SC-75

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±6 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

340mW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Altezza

0.8mm

Lunghezza

1.68mm

Larghezza

0.86 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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