MOSFET Vishay, canale Tipo P, 8 Ω 60 V, 190 A Miglioramento, SC-75, Superficie, 3 Pin SI1021R-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7825
Codice costruttore:
SI1021R-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

190A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SC-75

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza TrenchFET della serie Siliconix Si1021R di Vishay ha una bassa resistenza allo stato attivo e una velocità di commutazione rapida. Viene utilizzato in sistemi alimentati a batteria, circuiti convertitori di alimentazione, relè a stato solido e driver.

Facilità di azionamento degli interruttori

Bassa tensione di offset

Funzionamento a bassa tensione

Circuiti ad alta velocità

Facile da azionare senza buffer

Area della scheda ridotta

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