MOSFET Vishay, canale N, 263 mΩ, 1,3 A, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6930
Codice costruttore:: SI1922EDH-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 263 mΩ, 1,3 A, SOT-363, Montaggio superficiale

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Confronta

Codice RS:: 165-6930
Codice costruttore:: SI1922EDH-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si1922EDH, Dual N-Channel 20V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,3 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	263 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	1,25 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Lunghezza	2.2mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	1.35mm
Carica gate tipica @ Vgs	1,6 nC a 8 V
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 263 mΩ, 1,3 A, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor

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