2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale N, 263 mΩ, 1.3 A 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
165-6930
Codice costruttore:
SI1922EDH-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

1.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SC-88

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

263mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-8V, +8V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.25W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.6nC

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.35mm

Altezza

1mm

Lunghezza

2.2mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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