2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 790 mΩ, 1.1 A 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 812-3108
- Codice costruttore:
- SI1967DH-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 812-3108
- Codice costruttore:
- SI1967DH-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SC-88 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 790mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.25W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8V | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.35mm | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SC-88 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 790mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.25W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.35mm | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Altezza 1mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza serie TrenchFET di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 1,1 A - SI1967DH-T1-GE3
Questo MOSFET di potenza è un transistor a montaggio superficiale a canale P progettato per la commutazione a bassa tensione in sistemi elettronici compatti. Funziona come dispositivo in modalità di potenziamento ed è progettato per il controllo dell'alimentazione a livello di scheda in cui è richiesta una gestione della corrente modesta e un ingombro ridotto.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drain‐source di 20 V consente l'implementazione di sistemi a bassa tensione • La corrente di drenaggio continua di 1,1 A supporta la commutazione di potenza leggera • La bassa Rds(on) di 790 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento • La carica tipica del gate da 2,6 nC consente transizioni del gate più veloci • La dissipazione di potenza di 1,25 W gestisce il carico termico in piccoli assemblaggi • Il transistor isolato a doppio elemento consente disposizioni di commutazione accoppiate
Applicazioni
• Adatto per la gestione della batteria e la commutazione della guida di alimentazione nelle apparecchiature portatili • Ideale per la commutazione del carico nei moduli di controllo industriali • Utilizzato per la protezione contro l'inversione di polarità nei sistemi integrati • Può essere utilizzato per lo spostamento del livello del segnale in circuiti a tensione mista
Quale contenitore è necessario pianificare quando si progetta il circuito stampato?
Il dispositivo è fornito in un contenitore SMD SC‐88 a 6 pin che occupa un ingombro compatto adatto per schede ad alta densità.
In che modo la temperatura influisce sui limiti di funzionamento?
Il componente è specificato per il funzionamento tra -55 °C e 150 °C, definendo gli ambienti ambientali e di giunzione consentiti per una commutazione affidabile.
Questo componente può essere utilizzato nei sistemi automobilistici?
Non è classificato secondo gli standard automobilistici, pertanto l'idoneità deve essere valutata in base ai requisiti di qualificazione dei veicoli prima dell'uso.
Quale intervallo di tensione del gate è consentito per i segnali di controllo?
L'unità gate non deve superare un limite di gate‐to‐source di 8 V per evitare l'eccessiva sollecitazione del dispositivo.
Quanti elementi transistor sono presenti sul chip e quale configurazione hanno?
Il chip contiene due elementi isolati configurati per consentire disposizioni di commutazione accoppiate o indipendenti.
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