2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 790 mΩ, 1.1 A 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 50 unità*

13,90 €

(IVA esclusa)

16,95 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 250 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Nastro*
50 - 2000,278 €13,90 €
250 - 4500,208 €10,40 €
500 - 12000,194 €9,70 €
1250 - 24500,167 €8,35 €
2500 +0,144 €7,20 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3108
Codice costruttore:
SI1967DH-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

1.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SC-88

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

790mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.25W

Minima temperatura operativa

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Lunghezza

2.2mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati