2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 790 mΩ, 1.1 A 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 812-3108
- Codice costruttore:
- SI1967DH-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 812-3108
- Codice costruttore:
- SI1967DH-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SC-88 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 790mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.25W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -8V, +8V | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Larghezza | 1.35mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SC-88 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 790mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.25W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -8V, +8V | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Larghezza 1.35mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Altezza 1mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza serie TrenchFET di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 1,1 A - SI1967DH-T1-GE3
Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale P a montaggio superficiale destinato alla commutazione a bassa tensione e alle funzioni analogiche in assemblaggi elettronici compatti. Funziona come dispositivo in modalità di potenziamento ed è progettato per essere integrato nei casi in cui è richiesta una configurazione a transistor isolato e una gestione della corrente continua modesta. Il componente viene fornito in un piccolo pacchetto SC-88 adatto per layout densi.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 20 V consente la commutazione a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 1,1 A supporta carichi costanti
• Rds(on) di 790 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione
• La carica gate tipica di 2,6 nC consente transizioni gate più veloci
• La dissipazione di potenza di 1,25 W consente di gestire lo stress termico moderato
• La corrente di drenaggio continua di 1,1 A supporta carichi costanti
• Rds(on) di 790 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione
• La carica gate tipica di 2,6 nC consente transizioni gate più veloci
• La dissipazione di potenza di 1,25 W consente di gestire lo stress termico moderato
Applicazioni
• Adatto per i circuiti di protezione della batteria nelle apparecchiature portatili
• Ideale per la commutazione del carico in moduli di alimentazione compatti
• Utilizzato con fasi di spostamento di livello nei front-end analogici
• Può essere utilizzato per la commutazione a doppio canale in spazi ristretti sul circuito stampato
• Ideale per la commutazione del carico in moduli di alimentazione compatti
• Utilizzato con fasi di spostamento di livello nei front-end analogici
• Può essere utilizzato per la commutazione a doppio canale in spazi ristretti sul circuito stampato
Quale tipo di montaggio è necessario per l'assemblaggio?
È progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale su piastre saldabili standard compatibili con le impronte SC-88.
Quanti elementi transistor attivi contiene?
Il dispositivo contiene due elementi per chip, consentendo il routing a doppia funzione o complementare nei progetti.
Quali sono i limiti di tensione del gate che i progettisti devono rispettare?
La tensione nominale massima da gate a sorgente è di 8 V, che non deve essere superata per evitare lo stress del dispositivo.
A quale intervallo di temperatura può resistere durante il funzionamento?
È specificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, adattandosi a un'ampia gamma di condizioni ambientali.
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