MOSFET Vishay, canale P, 790 mΩ, 1,1 A, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 812-3108
Codice costruttore:: SI1967DH-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 790 mΩ, 1,1 A, SOT-363, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 812-3108
Codice costruttore:: SI1967DH-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si1967DH, Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1,1 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	790 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	1,25 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.2mm
Carica gate tipica @ Vgs	2,6 nC a 8 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.35mm
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 790 mΩ, 1,1 A, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor

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