MOSFET Vishay, canale N, P, 65 mΩ, 140 mΩ, 4,3 A, 6 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-7226
Codice costruttore:: SI4532CDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, P, 65 mΩ, 140 mΩ, 4,3 A, 6 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

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Codice RS:: 165-7226
Codice costruttore:: SI4532CDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si4532CDY, N- and P-Channel 30V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	4,3 A, 6 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	65 mΩ, 140 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,78 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	2
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	6 nC a 10 V, 7,8 nC a 10 V
Larghezza	4mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, P, 65 mΩ, 140 mΩ, 4,3 A, 6 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N/P, Vishay Semiconductor

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