2 MOSFET Vishay Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 0.045 Ω, 6.8 A 40 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3233
Codice costruttore:
SI4599DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

6.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

Si4599DY

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.045Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.1W

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC JS709A, RoHS

Lunghezza

5mm

Altezza

1.55mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N/P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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