2 MOSFET Vishay Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 0.045 Ω, 6.8 A 40 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 812-3233
- Codice costruttore:
- SI4599DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 confezione da 20 unità*
15,80 €
(IVA esclusa)
19,20 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,79 € | 15,80 € |
| 200 - 480 | 0,609 € | 12,18 € |
| 500 - 980 | 0,514 € | 10,28 € |
| 1000 - 1980 | 0,474 € | 9,48 € |
| 2000 + | 0,395 € | 7,90 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 812-3233
- Codice costruttore:
- SI4599DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | Si4599DY | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.045Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.1W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC JS709A, RoHS | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.55mm | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie Si4599DY | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.045Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.1W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Standard/Approvazioni JEDEC JS709A, RoHS | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.55mm | ||
Larghezza 4 mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
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