2 MOSFET Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 41 mΩ, 8 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI4925DDY-T1-GE3

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Codice RS:
919-4202
Codice costruttore:
SI4925DDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Larghezza

4mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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