MOSFET Vishay, canale P, 41 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-4202
Codice costruttore:: SI4925DDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 41 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 919-4202
Codice costruttore:: SI4925DDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	8 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	41 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	5 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	32 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 41 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor

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