2 MOSFET Vishay Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 20 mΩ, 8 A 40 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1452,50 €

(IVA esclusa)

1772,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 32.500 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,581 €1.452,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-7276
Codice costruttore:
SI4564DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

3.2W

Minima temperatura operativa

150°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20.5nC

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Lunghezza

5mm

Larghezza

4 mm

Altezza

1.55mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N/P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati