MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 51 mΩ Miglioramento, 5.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 919-4205
- Codice costruttore:
- SI2318CDS-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
375,00 €
(IVA esclusa)
456,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 69.000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,125 € | 375,00 € |
| 6000 + | 0,119 € | 357,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 919-4205
- Codice costruttore:
- SI2318CDS-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | Si2318CDS | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 51mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.1W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 1.4 mm | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Altezza | 1.02mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie Si2318CDS | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 51mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.1W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 1.4 mm | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Altezza 1.02mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Link consigliati
- MOSFET Vishay 51 mΩ6 A Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 75 mΩ3 A Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 345 mΩ2 A Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 75 mΩ7 A Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 156 mΩ9 A Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 0 3 SOT-23, Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay P 170 mΩ3 A5 A Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 2 Ω SOT-23, Montaggio superficiale
