MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 51 mΩ Miglioramento, 5.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
919-4205
Codice costruttore:
SI2318CDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

Si2318CDS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

51mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.02mm

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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