2 MOSFET Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 1.48 mΩ, 700 mA 20 V, SC-70-6, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 812-3094
- Codice costruttore:
- SI1553CDL-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 confezione da 20 unità*
5,78 €
(IVA esclusa)
7,06 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 560 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 + | 0,289 € | 5,78 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 812-3094
- Codice costruttore:
- SI1553CDL-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 700mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SC-70-6 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.48mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 340mW | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12V, -12V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Larghezza | 1.35mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 700mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SC-70-6 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.48mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 340mW | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.2nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V, -12V | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Larghezza 1.35mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET serie TrenchFET di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 700 mA - SI1553CDL-T1-GE3
Caratteristiche e vantaggi:
• Carica gate Qg tipica di 1,2 nC per una risposta gate-drive più rapida
• Corrente nominale di drenaggio continuo di 700 mA per la commutazione a carico moderato
• Vds massimo di 20 V per supportare domini di potenza a bassa tensione
• Capacità di dissipazione di potenza di 340 mW per gestire i carichi termici
Applicazioni
• Ideale per la commutazione del carico nella strumentazione portatile
• Utilizzato con stadi FET complementari e con spostamento di livello
• Può essere utilizzato per le fasi di azionamento del controllo del motore a bassa tensione
Quale tipo di contenitore utilizza e quanti pin sono presenti?
Quali limiti di tensione di gate deve rispettare il progetto?
Quale intervallo di temperatura d'esercizio si può prevedere nell'implementazione?
Il dispositivo include più elementi per matrice e come influisce sul layout?
Link consigliati
- 2 MOSFET Vishay Tipo isolato Tipo N 700 mA 20 V Superficie Miglioramento, 6 Pin
- MOSFET Vishay 0.165 Ω 6 Pin Superficie SI1427EDH-T1-GE3
- IGBT Vishay SIA433EDJ-T1-GE3 PowerPAK SC-70-6L, 6 Pin Superficie
- 2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato Tipo N 4.5 A 12 V Superficie Miglioramento, 6
- MOSFET Vishay 55 mΩ Miglioramento 6 Pin Superficie SIA461DJ-T1-GE3
- MOSFET Vishay 71 mΩ Miglioramento 6 Pin Superficie SIA447DJ-T1-GE3
- MOSFET Vishay 24 mΩ Miglioramento 6 Pin Superficie SiA471DJ-T1-GE3
- MOSFET Vishay 100 mΩ Miglioramento 6 Pin Superficie SI1441EDH-T1-GE3
