MOSFET Vishay, canale N, P, 1,48 Ω, 578 mΩ, 400 mA, 700 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 812-3094
Codice costruttore:: SI1553CDL-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, P, 1,48 Ω, 578 mΩ, 400 mA, 700 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 812-3094
Codice costruttore:: SI1553CDL-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si1553CDL, N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	400 mA, 700 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	1,48 Ω, 578 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	340 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Lunghezza	2.2mm
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	1.35mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	1,2 nC a 10 V, 1,9 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Vishay, canale N, P, 1,48 Ω, 578 mΩ, 400 mA, 700 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N/P, Vishay Semiconductor

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