MOSFET Vishay, canale N, P, 65 mΩ, 170 mΩ, 4,3 A, 4,5 A, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 814-1225
Codice costruttore:: SIA517DJ-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, P, 65 mΩ, 170 mΩ, 4,3 A, 4,5 A, SOT-363, Montaggio superficiale

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Confronta

Codice RS:: 814-1225
Codice costruttore:: SIA517DJ-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiA517DJ, N- and P-Channel 12V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	4,3 A, 4,5 A
Tensione massima drain source	12 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	65 mΩ, 170 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	6,5 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Carica gate tipica @ Vgs	13,1 nC a 8 V, 9,7 nC a 8 V
Lunghezza	2.15mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	2.15mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	0.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, P, 65 mΩ, 170 mΩ, 4,3 A, 4,5 A, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N/P, Vishay Semiconductor

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