2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 170 mΩ, 4.5 A 12 V, SC-70, Superficie Miglioramento, 6

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
814-1225
Codice costruttore:
SIA517DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SC-70

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

170mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-8V, +8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

6.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Altezza

800μm

Lunghezza

2.15mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.15mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N/P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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