2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 21.5 mΩ, 4.5 A 20 V, SC-70, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Codice RS:: 228-2834
Codice costruttore:: SIA938DJT-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 21.5 mΩ, 4.5 A 20 V, SC-70, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:: 228-2834
Codice costruttore:: SIA938DJT-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	4.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Serie	TrenchFET
	Tipo di package	SC-70
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	21.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	3.5nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	7.8W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Duale
	Standard/Approvazioni	No
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 4.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Serie TrenchFET
	Tipo di package SC-70
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 21.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.5nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 7.8W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Duale
	Standard/Approvazioni No
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIA938DJT-T1-GE3

MOSFET serie TrenchFET Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 20 V, corrente di drenaggio continua massima 4,5 A - SIA938DJT-T1-GE3

Questo MOSFET è un transistor a doppio canale N compatto a montaggio superficiale progettato per le attività di commutazione e gestione dell'alimentazione nei sistemi elettronici. Funziona a bassi livelli di tensione ed è adatto per assemblaggi compatti in cui lo spazio sulla scheda è limitato. Il dispositivo accoglie correnti continue moderate e supporta il funzionamento in un'ampia gamma di temperature per ambienti elettronici industriali e commerciali.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drenaggio 20 V consente la commutazione del sistema a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 4,5 A supporta correnti di carico moderate
• Il basso valore di Rds(on) di 21,5 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La carica tipica del gate di 3,5 nC riduce al minimo l'energia di commutazione
• La protezione massima gate-source a 12 V semplifica l'azionamento del gate
• La dissipazione di potenza di 7,8 W consente lo spazio termico in layout compatti

Applicazioni

• Adatto per azionamenti e controller di motori alimentati a batteria
• Ideale per convertitori c. c. - c. c. in sistemi integrati
• Utilizzato per la commutazione del carico nei moduli di controllo dell'automazione
• Può essere utilizzato per la distribuzione dell'alimentazione nell'elettronica portatile

Quale intervallo termico può tollerare durante il funzionamento?

È classificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, supportando il funzionamento a freddo e ad alta temperatura.

Come è confezionato il dispositivo per l'assemblaggio su circuito stampato?

Viene fornito in un contenitore compatto a montaggio superficiale SC-70 con un conteggio di otto pin per il posizionamento di due elementi.

Questo transistor può essere utilizzato in configurazioni di chip multi-transistor?

Sì, contiene due elementi transistorici su una matrice singola configurata come transistor doppio, semplificando il layout per la commutazione accoppiata.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate si applicano per un funzionamento robusto?

La tensione massima consentita da gate a sorgente è di 12 V

i progetti devono limitare la tensione di azionamento di conseguenza per evitare di superare questo valore nominale.

Quanta potenza può dissipare il dispositivo in modo sicuro su un circuito stampato?

La dissipazione di potenza massima è specificata in 7,8 W, che deve essere gestita tramite il design termico del circuito stampato e l'area in rame appropriata.