2 MOSFET Vishay Duale, canale N, 21.5 mΩ, 4.5 A 20 V, SC-70, Superficie Miglioramento, 8 Pin SIA938DJT-T1-GE3

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Codice RS:
228-2834
Codice costruttore:
SIA938DJT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SC-70

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

21.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

7.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET serie TrenchFET Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 20 V, corrente di drenaggio continua massima 4,5 A - SIA938DJT-T1-GE3


Questo MOSFET è un transistor compatto a doppio canale N con modalità di potenziamento progettato per la gestione dell'alimentazione a montaggio superficiale. Offre una soluzione di commutazione a bassa tensione adatta per assemblaggi elettronici densi ed è destinata alle applicazioni che richiedono un controllo a doppio canale in un pacchetto SC-70 a 8 pin. Il dispositivo gestisce correnti continue moderate e dissipa potenza limitata mentre funziona in un'ampia gamma di temperature.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassa resistenza in stato attivo di 21.5 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La tensione di drenaggio massima di 20 V supporta i sistemi a bassa tensione
• La corrente di drenaggio nominale continua di 4,5 A consente carichi moderati
• La carica gate di 3,5 nC consente una commutazione più rapida e una minore energia di azionamento
• La capacità di dissipazione di potenza di 7,8 W facilita il budget termico
• L'intervallo di funzionamento da -55 a 150 °C consente l'implementazione ad alta temperatura

Applicazioni


• Adatto per stadi di distribuzione CC alimentati a batteria
• Ideale per la rettifica sincrona nei convertitori di potenza
• Utilizzato per la commutazione del carico a doppio canale su schede compatte
• Può essere utilizzato per gli stadi a bassa tensione dell'azionamento del motore
• Adatto per ambienti termicamente difficili che richiedono parti ad alta temperatura

Quale metodo di montaggio supporta su un circuito stampato?


Viene fornito per l'assemblaggio a montaggio superficiale in un pacchetto SC-70 a 8 pin, facilitando la saldatura automatizzata e un layout compatto.

In che modo il dispositivo gestisce i limiti del gate drive?


La tensione gate-sorgente non deve superare 12 V per evitare lo stress dielettrico gate durante il funzionamento.

Il transistor è adatto per configurazioni complementari?


Si tratta di una disposizione a doppio canale N con due elementi per matrice, che consente topologie di interruttori accoppiate in cui sono richiesti due dispositivi di tipo N.

Quali estremi termici può tollerare durante l'uso?


Il dispositivo è classificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso su un'ampia gamma termica.

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