MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 120 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB120N60E-T1-GE3

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Codice RS:
228-2841
Codice costruttore:
SIHB120N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

E

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 25 A - SIHB120N60E-T1-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo a canale N ad alta tensione progettato per attività di commutazione e conversione di potenza in assemblaggi a montaggio superficiale. Funziona in un intervallo di temperatura esteso ed è progettato per applicazioni che richiedono una notevole tolleranza di tensione e prestazioni termiche, rispettando al contempo le direttive RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:


• La resistenza drain-source di 650 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 25 A supporta correnti di carico sostanziali
• L'Rds(on) di 120 mΩ riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza
• La dissipazione di potenza di 179 W consente una gestione prolungata del carico termico
• La tolleranza del gate di 30 V consente margini di azionamento gate robusti
• Carica gate tipica di 30 nC per un'energia di commutazione prevedibile

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato per la conversione CC-CC nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Può essere utilizzato per circuiti di correzione del fattore di potenza
• Adatto per la commutazione di UPS e gestione della batteria

Quale gamma termica può tollerare questo dispositivo durante il funzionamento?


È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici impegnativi.

Come è confezionato il dispositivo per l'assemblaggio su circuito stampato?


Viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-263 con tre terminali per un montaggio efficiente della scheda e una dissipazione del calore.

Quale comportamento di commutazione posso aspettarmi per quanto riguarda l'azionamento del gate?


Con una tensione massima gate-source di 30 V e una carica gate tipica di 30 nC, i requisiti gate-drive sono moderati e prevedibili per i comuni circuiti gate-driver.

Questa parte è adatta per applicazioni specifiche automobilistiche?


Non è conforme alle norme automobilistiche, pertanto non deve essere selezionato nei casi in cui è richiesta la certificazione automobilistica.

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