MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 120 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

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Codice RS:
228-2841
Codice costruttore:
SIHB120N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

E

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 25 A - SIHB120N60E-T1-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per applicazioni a montaggio superficiale in ambienti industriali e di automazione. Funziona come un dispositivo di potenziamento a canale N adatto per le attività di conversione e commutazione dell'alimentazione in cui è richiesta una robusta gestione della tensione e un flusso di corrente sostanziale. Il componente è fornito in un contenitore TO‐263 con tre terminali ed è destinato all'uso in un'ampia gamma di temperature.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 650 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 25 A supporta condizioni di carico sostenute
• La resistenza di accensione di 120 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza di 179 W consente un notevole spazio termico
• La tolleranza del gate di 30 V consente tensioni di gate-drive flessibili
• La carica gate tipica consente di velocizzare le transizioni di commutazione a 30 nC

Applicazioni


• Adatto per convertitori di azionamento motore industriali che gestiscono alte tensioni
• Ideale per le fasi di commutazione SMPS e alimentazione front-end
• Utilizzato per driver LED e controllo lampade che richiedono un VDS elevato
• Può essere utilizzato per gli stadi inverter nei sistemi a energia rinnovabile
• Adatto per la commutazione di potenza ad alta tensione per impieghi generali nell'automazione

Quali temperature estreme può tollerare questo dispositivo durante il funzionamento?


È classificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici difficili.

In che modo il contenitore influisce sul montaggio e sulle prestazioni termiche?


Il contenitore a montaggio superficiale TO‐263 facilita il montaggio su scheda saldata e offre un percorso termico adatto per il dissipamento del calore tramite circuiti stampati in rame e accessori esterni.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere osservate per una commutazione affidabile?


Mantenere la tensione del gate entro ±30 V e considerare la carica di gate tipica di 30 nC durante la progettazione dei circuiti del driver per garantire una corrente di azionamento e una velocità di commutazione adeguate.

Esistono limitazioni sull'uso automobilistico?


Non è specificato come conforme agli standard automobilistici, pertanto non deve essere considerato adatto per le applicazioni automobilistiche certificate.

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