MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 70 mΩ Miglioramento, 32 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie

Codice RS:: 228-2871
Codice costruttore:: SiHH080N60E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 70 mΩ Miglioramento, 32 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 228-2871
Codice costruttore:: SiHH080N60E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	32A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Serie	E
	Tipo di package	PowerPAK
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	70mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	184W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	42nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 32A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Serie E
	Tipo di package PowerPAK
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 70mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 184W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - SiHH080N60E-T1-GE3

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 32 A - SiHH080N60E-T1-GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per le attività di conversione e controllo di potenza più impegnative. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è progettato per applicazioni a montaggio superficiale in cui sono richieste prestazioni di commutazione compatte e robuste. Il componente fornisce una notevole capacità di corrente continua e supporta al contempo elevate tensioni di drenaggio-sorgente per l'uso in stadi di potenza industriali ed elettronici.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale da drenaggio a sorgente di 650 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 32 A supporta la gestione del carico sostenuto
• L'Rds(on) di 70 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica di gate tipica di 42 nC migliora il controllo della velocità di commutazione
• La dissipazione di potenza di 184 W consente un flusso termico significativo
• La temperatura d'esercizio massima di 150 °C tollera giunzioni elevate

Applicazioni

• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione
• Ideale per i front-end dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza nei convertitori
• Può essere utilizzato per le gambe dell'inverter risonanti e a commutazione rigida
• Utilizzato con array di transistor discreti nei moduli di gestione dell'alimentazione

Quale intervallo di tensione del gate è sicuro per i circuiti di controllo?

Il gate può essere azionato fino a 30 V rispetto alla sorgente

la logica di controllo deve rimanere entro questo limite per proteggere l'ossido del gate.

In che modo il contenitore influisce sulla progettazione termica a livello di scheda?

Il contenitore a montaggio superficiale PowerPAK con quattro pin richiede vie termiche o dissipatori di calore sul circuito stampato per dissipare fino a 184 W in condizioni specifiche.

Quali condizioni ambientali estreme può sopportare il dispositivo?

È progettato per un funzionamento continuo fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso su ampie variazioni di temperatura ambiente e di giunzione.

Che tipo di conduzione del canale fornisce il dispositivo?

Si tratta di un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento, che conduce quando viene applicata una tensione gate-sorgente positiva.