MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 70 mΩ Miglioramento, 32 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SiHH080N60E-T1-GE3

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Codice RS:
228-2871
Codice costruttore:
SiHH080N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

32A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

E

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

70mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

184W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 650 V, corrente di drenaggio continua massima di 32 A - SiHH080N60E-T1-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per la conversione di potenza a montaggio superficiale e le attività di controllo. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è progettato per applicazioni che richiedono una gestione della corrente consistente, una commutazione efficiente e un montaggio su circuito stampato compatto. Il dispositivo è realizzato in conformità agli standard ambientali RoHS ed è fornito in un contenitore PowerPAK per l'assemblaggio a basso profilo.

Caratteristiche e vantaggi:


• La capacità di drenaggio di 650 V consente applicazioni ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 32 A supporta la gestione di carichi pesanti
• Rds(on) di 70 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La carica gate tipica di 42 nC consente transizioni di commutazione più veloci
• La dissipazione di potenza di 184 W gestisce l'energia termica durante il funzionamento
• Il limite Vgs di 30 V consente tensioni standard di gate-drive

Applicazioni


• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione
• Ideale per gli stadi inverter dei motori industriali
• Utilizzato con circuiti PFC che richiedono interruttori robusti
• Può essere utilizzato per sezioni di inverter a energia rinnovabile
• Adatto per gruppi di alimentazione compatti a montaggio superficiale

Quali temperature estreme può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, adattandosi ad ambienti termici difficili e a temperature di giunzione elevate.

In che modo il contenitore favorisce l'assemblaggio del circuito stampato e il comportamento termico?


Il contenitore a montaggio superficiale PowerPAK offre un ingombro a basso profilo per il posizionamento automatizzato e fornisce un percorso termico adatto al dissipatore di calore in rame sul circuito stampato.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per una commutazione affidabile?


I circuiti di azionamento devono rispettare il valore nominale gate-source di ±30 V ed essere dimensionati per fornire la carica gate tipica di 42 nC per la velocità di commutazione desiderata e il controllo EMI.

Questo dispositivo è adatto per i sistemi automobilistici?


Non è definito come un dispositivo standard per il settore automobilistico, pertanto i progettisti devono verificare i requisiti di qualificazione prima di utilizzarlo in programmi automobilistici certificati.

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