MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 80 mΩ Miglioramento, 32 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SiHH080N60E-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2873
Codice costruttore:
SiHH080N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

32A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Dissipazione di potenza massima Pd

184W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay ha ridotto le perdite di conduzione e commutazione.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

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