MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 70 mΩ Miglioramento, 32 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SiHH080N60E-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2873
Codice costruttore:
SiHH080N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

32A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

E

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

70mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

184W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 32 A - SiHH080N60E-T1-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per le attività di conversione e controllo di potenza più impegnative. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è progettato per applicazioni a montaggio superficiale in cui sono richieste prestazioni di commutazione compatte e robuste. Il componente fornisce una notevole capacità di corrente continua e supporta al contempo elevate tensioni di drenaggio-sorgente per l'uso in stadi di potenza industriali ed elettronici.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale da drenaggio a sorgente di 650 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 32 A supporta la gestione del carico sostenuto
• L'Rds(on) di 70 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica di gate tipica di 42 nC migliora il controllo della velocità di commutazione
• La dissipazione di potenza di 184 W consente un flusso termico significativo
• La temperatura d'esercizio massima di 150 °C tollera giunzioni elevate

Applicazioni


• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione
• Ideale per i front-end dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza nei convertitori
• Può essere utilizzato per le gambe dell'inverter risonanti e a commutazione rigida
• Utilizzato con array di transistor discreti nei moduli di gestione dell'alimentazione

Quale intervallo di tensione del gate è sicuro per i circuiti di controllo?


Il gate può essere azionato fino a 30 V rispetto alla sorgente

la logica di controllo deve rimanere entro questo limite per proteggere l'ossido del gate.

In che modo il contenitore influisce sulla progettazione termica a livello di scheda?


Il contenitore a montaggio superficiale PowerPAK con quattro pin richiede vie termiche o dissipatori di calore sul circuito stampato per dissipare fino a 184 W in condizioni specifiche.

Quali condizioni ambientali estreme può sopportare il dispositivo?


È progettato per un funzionamento continuo fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso su ampie variazioni di temperatura ambiente e di giunzione.

Che tipo di conduzione del canale fornisce il dispositivo?


Si tratta di un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento, che conduce quando viene applicata una tensione gate-sorgente positiva.

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