MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.0135 Ω Miglioramento, 42.8 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SISS5812DN-T1-GE3

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Codice RS:
653-132
Codice costruttore:
SISS5812DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

42.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SISS5812DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0135Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

44.6W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.40 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.40mm

Altezza

0.83mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N Vishay TrenchFET Gen V è progettato per una tensione di scarico-sorgente di 80 V. Confezionato in un PowerPAK 1212-8S compatto, è ideale per le soluzioni di alimentazione dei server AI, i convertitori c.c./c.c. e la commutazione del carico.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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