MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.033 Ω Miglioramento, 25.7 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIR4156LDP-T1-GE3

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Codice RS:
653-190
Codice costruttore:
SIR4156LDP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SIR4156LDP

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.033Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

43W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.15 mm

Altezza

1.72mm

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 100 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK SO-8, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per fornire un basso RDS(on), una commutazione rapida e prestazioni termiche ottimizzate.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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