MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.033 Ω Miglioramento, 25.7 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 1 unità*

0,61 €

(IVA esclusa)

0,74 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 6000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Nastro/i
Per Nastro
1 - 240,61 €
25 - 990,59 €
100 - 4990,58 €
500 - 9990,49 €
1000 +0,46 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
653-191
Codice costruttore:
SIR4156LDP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

25.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SIR4156LDP

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.033Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

43W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.15 mm

Lunghezza

6.15mm

Altezza

1.72mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 100 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK SO-8, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per fornire un basso RDS(on), una commutazione rapida e prestazioni termiche ottimizzate.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

Link consigliati