MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.160 Ω Miglioramento, 1.95 A, 6 Pin, PowerPAK, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 1 unità*

0,24 €

(IVA esclusa)

0,29 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 6000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Nastro/i
Per Nastro
1 - 240,24 €
25 - 990,22 €
100 - 4990,19 €
500 - 9990,17 €
1000 +0,14 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
653-089
Codice costruttore:
SI3122DV-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

1.95A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SI3122DV

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.160Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.34W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.9nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 100 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in un formato TSOP-6, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per fornire un basso RDS(on), una commutazione rapida e prestazioni termiche efficienti in progetti con spazio ristretto.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

Utilizzato nella retroilluminazione a LED

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.