MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.160 Ω Miglioramento, 5.9 A, 7 Pin, PowerPAK, Superficie

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Codice RS:
653-094
Codice costruttore:
SIB4122DK-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SIB4122DK

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.160Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.9nC

Dissipazione di potenza massima Pd

12.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.6 mm

Lunghezza

1.6mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 100 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK SC-75, utilizza la tecnologia ThunderFET Gen IV per fornire un basso RDS(on), una commutazione rapida e prestazioni termiche eccellenti in progetti con spazio ristretto.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

Utilizzato nella retroilluminazione a LED

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