MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.160 Ω Miglioramento, 5.9 A, 7 Pin, PowerPAK, Superficie SIB4122DK-T1-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

564,00 €

(IVA esclusa)

687,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 6000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,188 €564,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
653-093
Codice costruttore:
SIB4122DK-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

5.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SIB4122DK

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.160Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

12.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

1.6mm

Altezza

1.6mm

Larghezza

1.6 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 100 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK SC-75, utilizza la tecnologia ThunderFET Gen IV per fornire un basso RDS(on), una commutazione rapida e prestazioni termiche eccellenti in progetti con spazio ristretto.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

Utilizzato nella retroilluminazione a LED

Link consigliati