MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 150 V, 0.0555 Ω Miglioramento, 18 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIR5712DP-T1-GE3

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Codice RS:
653-110
Codice costruttore:
SIR5712DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

SIR5712DP

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0555Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

40W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

5.15 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.04mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi a elevata densità di potenza. Supporta fino a 150 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK SO-8, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen V per fornire un basso RDS(on), una carica di gate ridotta e eccellenti prestazioni termiche.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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