MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.105 Ω Miglioramento, 38 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIHR100N60E-T1-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

12.504,00 €

(IVA esclusa)

15.255,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +4,168 €12.504,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
653-079
Codice costruttore:
SIHR100N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

38A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.105Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

347W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

8 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza serie E di 4a generazione Vishay è progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza. È dotato di una bassa cifra di merito (FOM), una capacità effettiva ridotta e prestazioni termiche ottimizzate in un contenitore compatto PowerPAK 8x8LR. Ideale per l'uso in server, telecomunicazioni e alimentatori di correzione del fattore di potenza, fornisce prestazioni affidabili in ambienti impegnativi.

Riduzione delle perdite di commutazione e di conduzione

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

Link consigliati