MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.105 Ω Miglioramento, 38 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIHR100N60E-T1-GE3

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Codice RS:
653-079
Codice costruttore:
SIHR100N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

38A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.105Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Dissipazione di potenza massima Pd

347W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza serie E di 4a generazione Vishay è progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza. È dotato di una bassa cifra di merito (FOM), una capacità effettiva ridotta e prestazioni termiche ottimizzate in un contenitore compatto PowerPAK 8x8LR. Ideale per l'uso in server, telecomunicazioni e alimentatori di correzione del fattore di potenza, fornisce prestazioni affidabili in ambienti impegnativi.

Riduzione delle perdite di commutazione e di conduzione

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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