MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 0.105 Ω Miglioramento, 38 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIHR100N60E-T1-GE3

Codice RS:: 653-079
Codice costruttore:: SIHR100N60E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 0.105 Ω Miglioramento, 38 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIHR100N60E-T1-GE3

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 653-079
Codice costruttore:: SIHR100N60E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	38A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Serie	E
	Tipo di package	PowerPAK
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.105Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	34nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	347W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	10.42mm
	Larghezza	8mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 38A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Serie E
	Tipo di package PowerPAK
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.105Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 347W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 10.42mm
	Larghezza 8mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHR100N60E-T1-GE3

Paese di origine:: CN

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 600 V, corrente di drenaggio continua massima 38 A - SIHR100N60E-T1-GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per le attività di commutazione e controllo nell'elettronica industriale. Funziona come transistor a montaggio superficiale adatto per la conversione di potenza e gli ambienti di commutazione ad alta tensione, offrendo un equilibrio tra gestione della tensione e resistenza termica per l'uso in assemblaggi impegnativi.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source di 600 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 38 A supporta correnti di carico sostanziali • L'Rds(on) di 0,105 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento • La dissipazione di potenza di 347 W consente un carico termico sostenuto • La carica di gate tipica 34 nC consente un controllo efficiente dell'azionamento del gate • L'intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C supporta il funzionamento a temperature estreme

Applicazioni

• Adatto per convertitori di potenza ad alta tensione nell'automazione industriale • Ideale per i front-end di azionamento del motore che richiedono una commutazione robusta • Utilizzato per alimentatori a commutazione che gestiscono tensioni elevate • Può essere utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza nei sistemi elettrici • Utilizzato con driver gate in progetti di inverter ad alta tensione

Quale stile di montaggio richiede per l'assemblaggio?

È progettato per il montaggio superficiale in un contenitore PowerPAK, che richiede profili SMT standard a riflusso e un'adeguata progettazione in rame per la dissipazione del calore.

In che modo la tensione dell'azionamento del gate influisce sulla commutazione?

Il dispositivo tollera fino a 30 V sul gate rispetto alla sorgente

l'utilizzo delle tensioni di gate consigliate ottimizza la velocità di accensione evitando al contempo la sovratensione del gate.

Quali sono le considerazioni termiche necessarie per le applicazioni ad alta potenza?

Data la dissipazione di potenza nominale di 347 W, sono necessari un'adeguata area di rame del circuito stampato e vie termiche per trasferire il calore lontano dal contenitore per mantenere le temperature di giunzione al di sotto dei limiti massimi.

Questo dispositivo è adatto per progetti automobilistici?

Non è specificato come di livello automobilistico, pertanto l'idoneità dipende dai requisiti a livello di sistema e da qualsiasi qualifica aggiuntiva richiesta dal progettista.