MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.158 Ω Miglioramento, 19 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH150N60E-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9914
Codice costruttore:
SIHH150N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SIHH

Tipo di package

PowerPAK 8 x 8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.158Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

8mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET di potenza serie E e il transistor in esso è realizzato in materiale noto come silicio.

Tecnologia serie E di 4a generazione

Bassa figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva

Energia nominale a valanga

Ridotte perdite di commutazione e conduzione

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