MOSFET Vishay, canale N 80 V, 0.00175 Ω Miglioramento, 322 A, 8 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIEH3812EW-T1-GE3

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Codice RS:
736-346
Codice costruttore:
SIEH3812EW-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

322A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SIEH3812EW

Tipo di package

PowerPAK 8 x 8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00175Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

154nC

Dissipazione di potenza massima Pd

417W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

8mm

Larghezza

8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il MOSFET di potenza Vishay offre prestazioni eccezionali in applicazioni ad alta efficienza, con un design a canale N che supporta una corrente di drenaggio continua significativa, ideale per le soluzioni avanzate di gestione dell'energia.

Struttura completamente priva di piombo (Pb) e alogeni per la conformità ambientale

Testato al 100% per R e UIS per garantire l'affidabilità

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